Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Страна производитель | Китай |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Страна регистрации | Китай |
Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 17
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-16 (0.295 inch)
Вес, г 1
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 17
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-16 (0.295 inch)
Вес, г 1
Информация для заказа
- Цена: 29,99 ₴


