Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Страна производитель | Китай |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Страна регистрации | Китай |
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Технические параметры
Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 17
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вес, г 1.9
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Технические параметры
Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 17
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вес, г 1.9
Информация для заказа
- Цена: 23,20 ₴

![IR2113PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [DIP-14], фото 1](https://images.prom.ua/3192495159_ir2113pbf-drajver-klyuchej.jpg)
