вверхвниз
![FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN], фото 2](https://images.prom.ua/3204286818_w70_h90_fga40n65-fga40n65smd-tranzistor.jpg)
![FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN], фото 1](https://images.prom.ua/3204286817_fga40n65-fga40n65smd-tranzistor.jpg)
FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
82,99 ₴
Показать оптовые цены- Готово к отправке
- Оптом и в розницу
- Код: 101167
![FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]](https://images.prom.ua/3204286817_w640_h640_fga40n65-fga40n65smd-tranzistor.jpg)
FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]Готово к отправке
82,99 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Страна регистрации | Китай |
Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5
Информация для заказа
- Цена: 82,99 ₴