Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; полевой; 600В; 2А; 23Вт; TO220F

FQPF2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Он подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных ламповых балластов.

• Низкий уровень заряда затвора (8.5нКл)
• Низкий уровень Crss 4.3пФ
• Лавинное тестирование 100%

Технические параметры

Максимальная рабочая температура    +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока    2 A
Тип корпуса    TO-220F
Максимальное рассеяние мощности    23 W
Тип монтажа    Монтаж на плату в отверстия
Размеры    10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора    Кремний
Количество элементов на ИС    1
Transistor Configuration    Одинарный
Типичное время задержки включения    9 нс
Производитель    ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения    24 ns
Серия    QFET
Минимальная рабочая температура    -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage    2V
Максимальное сопротивление сток-исток    4.7 Ω
Максимальное напряжение сток-исток    600 В
Число контактов    3
Категория    Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs    8.5 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds    180 пФ при 25 В
Тип канала    N
Максимальное напряжение затвор-исток    -30 V, +30 V
Id - непрерывный ток утечки    2 A
Pd - рассеивание мощности    23 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток    4.7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток    600 V
Vgs - напряжение затвор-исток    30 V
Вид монтажа    Through Hole
Время нарастания    25 ns
Время спада    28 ns
Другие названия товара №    FQPF2N60C_NL
Канальный режим    Enhancement
Категория продукта    МОП-транзистор
Количество каналов    1 Channel
Конфигурация    Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.    5 S
Максимальная рабочая температура    + 150 C
Минимальная рабочая температура    55 C
Подкатегория    MOSFETs
Полярность транзистора    N-Channel
Размер фабричной упаковки    1000
Серия    FQPF2N60C
Технология    Si
Тип    MOSFET
Тип продукта    MOSFET
Тип транзистора    1 N-Channel
Торговая марка    ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка    Tube
Упаковка / блок    TO-220FP-3