STGW30H65FB Транзистор біполярний IGBT Chip N-CH 650В 30А 260Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
IGBT Discretes, STMicroelectronics

Максимальная Рабочая Температура    175 C
Количество Выводов    3
Напряжение Коллектор-Эмиттер    1.55В
Стиль Корпуса Транзистора    to-247
Рассеиваемая Мощность    260Вт
DC Ток Коллектора    60А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)    600в
Линейка Продукции    HB Series
Максимальная рабочая температура    +175 °C
Длина    15.75мм
Transistor Configuration    Одинарный
Производитель    STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)    600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора    60 A
Тип корпуса    TO-247
Максимальное рассеивание мощности    260 Вт
Тип монтажа    Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура    -55 °C
Ширина    5.15мм
Высота    20.15мм
Число контактов    3
Размеры    15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер    ±20V
Тип канала    N
Maximum Operating Temperature    +175 °C
Length    15.75мм
Transistor Configuration    Одинарный
Brand    STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage    600 В
Maximum Continuous Collector Current    60 А
Package Type    TO-247
Maximum Power Dissipation    260 Вт
Mounting Type    Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature    -55 °C
Width    5.15мм
Высота    20.15мм
Pin Count    3
Dimensions    15.75 x 5.15 x 20.15мм
Maximum Gate Emitter Voltage    ±20V
Channel Type    N
Вес, г    6.604