GW30H60DFB (STGW30H60DFB), IGBT транзистор, 60 А, 600 В, 260 Вт, 1.55 В, TO-247, 3 виведення (ов)

Напівпровідники — Дискретні/Транзистори/БТИЗ Одиничні
IGBT Discretes, STMicroelectronics

Максимальна Робоча температура    175 C
Кількість виводів    3
Напруга колектор-Еміттер    1.55В
Стиль Корпусу Транзизора    to-247
Розсіювана Потужність    260 Вт
DC Струм колектора    60А
Напруга Насичення Колектор-Еміттер Vce (on)    600 В
Лінійка Продукції    HB Series
Максимальна робоча температура    +175 °C
Довжина:    15.5 мм
Transistor Configuration    Одинарний
Виробник    STMicroelectronics
Максимальна напруга К-Е (колектор-емітер)    600 В
Максимальний безперервний струм колектора    60 A
Тип корпусу    TO-247
Максимальне розсіювання потужності    260 Вт
Тип монтажа    Монтаж на плату в отвори
Мінімальна робоча температура    -55 °C
Ширина    5.15мм
Висота    20.15мм
Число контактів    3
Розміри    15.5 x 5.15 x 20.15 мм
Максимальна напруга затвор-емітер    ±20V
Тип каналу    N
Maximum Operating Temperature    +175 °C
Length    15.5 мм
Transistor Configuration    Одинарний
Brand    STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage    600 В
Maximum Continuous Collector Current    60 А
Package Type    TO-247
Maximum Power Dissipation    260 Вт
Mounting Type    Монтаж на плату в отвори
Minimum Operating Temperature    -55 °C
Width    5.15мм
Висота    20.15мм
Pin Count    3
Dimensions    15.5 x 5.15 x 20.15 мм
Maximum Gate Emitter Voltage    ±20V
Channel Type    N
Вага, г    6.604