вверхвниз

Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | Без бренда |
Країна виробник | Китай |
Користувальницькі характеристики | |
Стан | Нове |
Країна реєстрації | Китай |
RJH60F7DPQ-AO - Power IGBT, 600V, 50A, TO-247
- Low collector to eIGBTmitter saturation voltage
- VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
- Built in fast recovery diode in one package
- Trench gate and thin wafer technology
- High speed switching
- tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
Інформація для замовлення
- Ціна: 57,99 ₴