Характеристики
Основні атрибути | |
---|---|
Виробник | Без бренда |
Країна виробник | Китай |
Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики | |
Країна реєстрації | Китай |
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Технические параметры
Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номінальний час наростання (Rise Time), нс 25
Номінальна час загасання (Fall Time), нс 17
Робоча температура, °C -40...+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вага, г 1.9
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Технические параметры
Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номінальний час наростання (Rise Time), нс 25
Номінальна час загасання (Fall Time), нс 17
Робоча температура, °C -40...+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вага, г 1.9
Інформація для замовлення
- Ціна: 23,20 ₴